LAUDA Semistat 等離子刻蝕溫度控制系統(tǒng)，通過對靜電卡盤 (ESC，E-chuck) 的動態(tài)溫度控制，為等離子刻蝕應用提供穩(wěn)定的溫度控制。LAUDA Semistat 基于 Peltier 元件傳熱理論設計，與傳統(tǒng)壓縮機系統(tǒng)相比，可以節(jié)省高達90%的能耗。體積小，占地空間少，可選擇安裝在地板下的夾層中，節(jié)省潔凈室空間。LAUDA Semistat 可以快速和精準地將過程溫度控制在 ±0.1 K，從而提高晶圓間均質(zhì)性。

產(chǎn)品特點：

• 無壓縮機和制冷劑的低能耗系統(tǒng)，運行安靜、振動小

• 帶清潔干燥空氣 (CDA) 吹掃接口，可防止冷凝水產(chǎn)生

• 結(jié)構(gòu)緊湊，重量輕，占地面積小，非常適合安裝于地板之下
• 導熱液體用量極少

• 無需過濾器或 DI 組件

• 水冷型

典型應用：

在半導體生產(chǎn)中，等離子蝕刻是工藝鏈的核心部分，有干法蝕刻和濕法蝕刻之分。在干法蝕刻中，半導體板（晶片）在真空蝕刻室中進行等離子處理。等離子體中的離子轟擊晶片，從而使材料脫離。例如，硅晶片上的氧化層可以用這種方法去除，然后涂上摻雜層（添加了外來原子，因此具有一定的導電性）。

等離子體的溫度會影響蝕刻的速度和效率。如果溫度過低，等離子體就不夠活躍，無法有效地燒蝕材料。如果溫度過高，材料可能會被過度燒蝕，導致誤差和損壞。因此，在半導體生產(chǎn)中，對等離子體溫度進行精確的控制非常重要，因為晶片的加工范圍在微米和納米之間。即使溫度發(fā)生微小變化，也會導致蝕刻結(jié)構(gòu)的尺寸和形狀發(fā)生顯著變化。LAUDA Semistat 可以為干法蝕刻這一敏感工藝提供專門的溫度控制解決方案。

產(chǎn)品參數(shù)：

工作溫度范圍                     -20℃ ... 90 °C

溫度穩(wěn)定性                         0.1 °C

加熱器功率最小                  6 kW

最小填充容量                     1.25 L

最大填充容量                     1.6 L

外形尺寸（寬 x 深 x 高）   116 x 300 x 560 mm

重量                                   25 kg

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冷卻功率輸出

根據(jù)不同的工藝溫度和冷卻水流量

LAUDA Semistat 等離子刻蝕溫度控制系統(tǒng)

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